rn1901,lf(ct Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1382304
Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Торговая марка | Toshiba |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 10 mA at 5 V |