rn1905,lf(ct Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
Характеристики
Упаковка / блок | SOT-363 |
---|---|
Торговая марка | Toshiba |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
Типичный коэффициент деления резистора | 0.0468 |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |