rn2102,lf(ct Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor with Built-in Transistor
Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor with Built-in Transistor
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SC-70-3 |
Торговая марка | Toshiba |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 10 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 100 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | - 100 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 at - 10 mA at - 5 V |