rn2110mfv,l3f Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-723-3 |
Торговая марка | Toshiba |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Непрерывный коллекторный ток | - 100 mA |