rn2132mfv(tpl3) Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50volts 100mA 3Pin 200Kohmsx0ohms
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50volts 100mA 3Pin 200Kohmsx0ohms
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Торговая марка | Toshiba |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 8000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Непрерывный коллекторный ток | - 100 mA |