RQ3E100GNTB МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | HSMT-8 |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | RQ3E100TB |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 2 W |
Время спада | 3.1 ns |
Время нарастания | 4.3 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11.7 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Qg - заряд затвора | 7.9 nC |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |
Типичное время задержки выключения | 22.4 ns |
Типичное время задержки при включении | 8.4 ns |
Тип транзистора | 1 N-Channel |