Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SBC856BDW1T1G Биполярные транзисторы - BJT SS SC-88 GP XSTR PNP 65V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SBC856BDW1T1G Биполярные транзисторы - BJT SS SC-88 GP XSTR PNP 65V

Производитель
ON Semiconductor

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1382791

SBC856BDW1T1G Биполярные транзисторы - BJT SS SC-88 GP XSTR PNP 65V

Биполярные транзисторы - BJT SS SC-88 GP XSTR PNP 65V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSC-70-6
Торговая маркаON Semiconductor
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияBC856B
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Pd - рассеивание мощности380 mW
КонфигурацияDual
Полярность транзистораPNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.- 65 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)- 80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)- 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер- 0.65 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)220
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.475