SBCP68T1G Биполярные транзисторы - BJT LOW Voltg-HIGH CURRENT
Биполярные транзисторы - BJT LOW Voltg-HIGH CURRENT
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-223 |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | BCP68 |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 VDC |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 25 VDC |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 VDC |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 VDC |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 60 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 85 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 375 |