SCT20N120 МОП-транзистор 1200V silicon carbide МОП-транзистор
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1382847
МОП-транзистор 1200V silicon carbide МОП-транзистор
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | SiC MOSFETs |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | SiC |
| Pd - рассеивание мощности | 175 W |
| Время спада | 17 ns |
| Время нарастания | 16 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 215 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | - 10 V/+ 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 45 nC |
| Типичное время задержки выключения | 27 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |