SDP8405-003 Фототранзисторы PHOTOTRANSISTOR T1
Фототранзисторы PHOTOTRANSISTOR T1
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 85 C |
---|---|
Упаковка / блок | T-1 |
Торговая марка | Honeywell |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Продукт | Phototransistors |
Тип | Photodetector Transistors |
Pd - рассеивание мощности | 70 mW |
Время спада | 15 us |
Время нарастания | 15 us |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
Темновой ток | 100 nA |
Длина волны | 880 nm |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 30 V |
Слабый ток | 24 mA |