Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SI1012R-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SI1012R-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1383019

SI1012R-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V

МОП-транзистор 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSC-75-3
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияSI1012
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Другие названия товара №SI1012R-GE3
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности150 mW
Время спада5 ns
Время нарастания5 ns
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток700 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Id - непрерывный ток утечки600 mA
Vgs - напряжение затвор-исток6 V
Типичное время задержки выключения25 ns
Типичное время задержки при включении5 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel