Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SI1013X-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SI1013X-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1383023

SI1013X-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V

МОП-транзистор 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSC-89-3
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Другие названия товара №SI1013X-GE3
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности250 mW
Время спада9 ns
Время нарастания9 ns
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.2 Ohms
Полярность транзистораP-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток- 20 V
Id - непрерывный ток утечки350 mA
Vgs - напряжение затвор-исток6 V
Типичное время задержки выключения35 ns
Типичное время задержки при включении5 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel