Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SI1480DH-T1-GE3 МОП-транзистор 100V 200mOhm@10V 2.3A N-Ch купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SI1480DH-T1-GE3 МОП-транзистор 100V 200mOhm@10V 2.3A N-Ch

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1383085

SI1480DH-T1-GE3 МОП-транзистор 100V 200mOhm@10V 2.3A N-Ch

МОП-транзистор 100V 200mOhm@10V 2.3A N-Ch

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSOT-363-6
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Минимальная рабочая температура- 55 C
Коммерческое обозначениеThunderFET TrenchFET
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности2.8 W
Время спада13 ns
Время нарастания45 ns
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток200 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Id - непрерывный ток утечки2.6 A
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.6 V to 3 V
Qg - заряд затвора1.8 nC
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.3.7 S
Типичное время задержки выключения10 ns
Типичное время задержки при включении5 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel