SI2312BDS-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1383136
МОП-транзистор 20V 5.0A 1.25W 31mohm @ 4.5V
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Другие названия товара № | SI2312BDS-GE3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 750 mW |
| Время спада | 30 ns |
| Время нарастания | 30 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 31 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.9 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |