Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SI2316BDS-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SI2316BDS-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1383143

SI2316BDS-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V

МОП-транзистор 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSOT-23-3
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Другие названия товара №SI2316BDS-GE3
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности1.25 W
Время спада11 ns, 65 ns
Время нарастания11 ns, 65 ns
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток50 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Id - непрерывный ток утечки3.9 A
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Типичное время задержки выключения12 ns, 11 ns
Типичное время задержки при включении4.5 ns, 20 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel