SI2365EDS-T1-GE3 МОП-транзистор -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1383178
МОП-транзистор -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Другие названия товара № | SI4816DY-T1-E3-S |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.7 W |
| Время спада | 21 us |
| Время нарастания | 32 us |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 32 mOhms |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | - 5.9 A |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | - 1 V |
| Qg - заряд затвора | 13.8 nC |
| Типичное время задержки выключения | 62 us |
| Типичное время задержки при включении | 9 us |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |