Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SI3460BDV-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 8.0A 3.5W 27mohm @ 4.5V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SI3460BDV-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 8.0A 3.5W 27mohm @ 4.5V

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1383234

SI3460BDV-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 8.0A 3.5W 27mohm @ 4.5V

МОП-транзистор 20V 8.0A 3.5W 27mohm @ 4.5V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTSOP-6
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Другие названия товара №SI3460BDV-GE3
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности2 W
Время спада6 ns, 5 ns
Время нарастания60 ns, 15 ns
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток27 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Id - непрерывный ток утечки6.7 A
Vgs - напряжение затвор-исток8 V
Типичное время задержки выключения25 ns
Типичное время задержки при включении7 ns, 5 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel