Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SI3460DDV-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 7.9A N-CH МОП-транзистор купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SI3460DDV-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 7.9A N-CH МОП-транзистор

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1383235

SI3460DDV-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 7.9A N-CH МОП-транзистор

МОП-транзистор 20V 7.9A N-CH МОП-транзистор

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTSOP-6
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Другие названия товара №SI3460DDV-GE3
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности2.7 W
Время спада8 ns
Время нарастания11 ns
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток23 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Id - непрерывный ток утечки7.9 A
Vgs - напряжение затвор-исток8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Qg - заряд затвора12 nC
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.35 S
Типичное время задержки выключения21 ns
Типичное время задержки при включении6 ns
Тип транзистора1 N-Channel