Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SI3477DV-T1-GE3 МОП-транзистор -12V 17.5mOhm@4.5V 8A P-Ch G-III купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SI3477DV-T1-GE3 МОП-транзистор -12V 17.5mOhm@4.5V 8A P-Ch G-III

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1383253

SI3477DV-T1-GE3 МОП-транзистор -12V 17.5mOhm@4.5V 8A P-Ch G-III

МОП-транзистор -12V 17.5mOhm@4.5V 8A P-Ch G-III

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTSOP-6
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Другие названия товара №SI3477DV-GE3
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности4.2 W
Время спада30 ns
Время нарастания10 ns
КонфигурацияSingle Quad Drain
Rds Вкл - сопротивление сток-исток17.5 mOhms
Полярность транзистораP-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток- 12 V
Id - непрерывный ток утечки- 8 A
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток- 1 V
Qg - заряд затвора28.3 nC
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.30 S
Типичное время задержки выключения65 nS
Типичное время задержки при включении10 nS
Тип транзистора1 P-Channel