Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SI3590DV-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 3.0/2.0A 1.15W 77/170mohm @ 4.5V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SI3590DV-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 3.0/2.0A 1.15W 77/170mohm @ 4.5V

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1383264

SI3590DV-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 3.0/2.0A 1.15W 77/170mohm @ 4.5V

МОП-транзистор 30V 3.0/2.0A 1.15W 77/170mohm @ 4.5V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTSOP-6
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Другие названия товара №SI3590DV-GE3
Количество каналов2 Channel
Pd - рассеивание мощности830 mW
Конфигурация1 N-Channel, 1 P-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток62 mOhms, 135 mOhms
Полярность транзистораN-Channel, P-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Id - непрерывный ток утечки2.5 A
Vgs - напряжение затвор-исток12 V
Тип транзистора1 N-Channel, 1 P-Channel