SI4100DY-T1-GE3 МОП-транзистор 100V 6.8A 6.0W 63mohm @ 10V
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1383285
МОП-транзистор 100V 6.8A 6.0W 63mohm @ 10V
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOIC-Narrow-8 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Другие названия товара № | SI4100DY-GE3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Время спада | 10 ns |
| Время нарастания | 12 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 63 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.4 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Qg - заряд затвора | 13.5 nC |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns, 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns, 10 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |