Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SI4101DY-T1-GE3 МОП-транзистор -30V .006Ohm@10V 25.7A P-Ch G-III купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SI4101DY-T1-GE3 МОП-транзистор -30V .006Ohm@10V 25.7A P-Ch G-III

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1383286

SI4101DY-T1-GE3 МОП-транзистор -30V .006Ohm@10V 25.7A P-Ch G-III

МОП-транзистор -30V .006Ohm@10V 25.7A P-Ch G-III

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSO-8
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Размер фабричной упаковки2500
Минимальная рабочая температура- 55 C
Pd - рассеивание мощности6 W
Время спада11ns
Время нарастания9 ns
Rds Вкл - сопротивление сток-исток8 mOhms
Полярность транзистораP-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток- 30 V
Id - непрерывный ток утечки- 25.7 A
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток- 1 V to - 2.5 V
Qg - заряд затвора65 nC
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.72 S
Типичное время задержки выключения80 ns
Типичное время задержки при включении20 ns