SI4410DYPBF МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1383367
МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
| Торговая марка | International Rectifier |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Tube |
| Размер фабричной упаковки | 95 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Время спада | 44 ns |
| Время нарастания | 7.7 ns |
| Конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 30 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 35 S |
| Типичное время задержки выключения | 38 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |