SI4420DYPBF МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 52nC
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1383377
МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 52nC
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Торговая марка | International Rectifier |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Tube |
| Размер фабричной упаковки | 95 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Время спада | 47 ns |
| Время нарастания | 10 ns |
| Конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 13 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 12.5 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 52 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 29 S |
| Типичное время задержки выключения | 55 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |