Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SI4800BDY-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SI4800BDY-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1383493

SI4800BDY-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V

МОП-транзистор 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSOIC-Narrow-8
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Размер фабричной упаковки2500
Минимальная рабочая температура- 55 C
Другие названия товара №SI4800BDY-GE3
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности1.3 W
Время спада12 ns
Время нарастания12 ns
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток18.5 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Id - непрерывный ток утечки6.5 A
Vgs - напряжение затвор-исток25 V
Qg - заряд затвора13 nC
Типичное время задержки выключения32 ns
Типичное время задержки при включении7 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel