Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SI4966DY-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SI4966DY-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1383587

SI4966DY-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V

МОП-транзистор 20V 7.1A 2.0W 25mohm @ 4.5V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSOIC-Narrow-8
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Размер фабричной упаковки2500
Минимальная рабочая температура- 55 C
Другие названия товара №SI4966DY-GE3
Количество каналов2 Channel
Pd - рассеивание мощности2 W
Время спада40 ns
Время нарастания40 ns
КонфигурацияDual
Rds Вкл - сопротивление сток-исток25 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Id - непрерывный ток утечки7.1 A
Vgs - напряжение затвор-исток12 V
Типичное время задержки выключения90 ns
Типичное время задержки при включении40 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора2 N-Channel