SI5415AEDU-T1-GE3 МОП-транзистор -20V 9.6mOhm@-4.5V -25A P-CH
МОП-транзистор -20V 9.6mOhm@-4.5V -25A P-CH
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | PowerPAK-8 |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | Power MOSFET |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 50 C |
Коммерческое обозначение | TrenchFET |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 31 W |
Время спада | 25 ns |
Время нарастания | 45 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.6 mOhms |
Полярность транзистора | P-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 20 V |
Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | + /- 8 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | - 1 V |
Qg - заряд затвора | 80 nC |
Типичное время задержки выключения | 80 ns |
Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 P-Channel |