SI5908DC-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 4.4A 1.1W
МОП-транзистор 20V 4.4A 1.1W
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | ChipFET-8 |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | Si5908DC |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Другие названия товара № | SI5904DC-T1-GE3 SI5904DWF |
Количество каналов | 2 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
Время спада | 12 ns |
Время нарастания | 36 ns |
Конфигурация | Dual |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 40 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Id - непрерывный ток утечки | 5.9 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Qg - заряд затвора | 5 nC |
Типичное время задержки выключения | 30 ns |
Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Тип транзистора | 2 N-Channel |