SI6562CDQ-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 6.7/6.1A 22/30mohm @ 4.5V
МОП-транзистор 20V 6.7/6.1A 22/30mohm @ 4.5V
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TSSOP-8 |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | SI6562CDQ |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Другие названия товара № | SI6562CDQ-GE3 |
Количество каналов | 2 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 1.1 W, 1.2 W |
Время спада | 10 ns, 25 ns |
Время нарастания | 10 ns, 25 ns |
Конфигурация | Dual Dual Source |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 18 mOhms, 24 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Id - непрерывный ток утечки | 5.7 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
Типичное время задержки выключения | 25 nS, 45 nS |
Типичное время задержки при включении | 12 nS, 30 nS |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |