Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SI6562CDQ-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 6.7/6.1A 22/30mohm @ 4.5V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SI6562CDQ-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 6.7/6.1A 22/30mohm @ 4.5V

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1383656

SI6562CDQ-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 6.7/6.1A 22/30mohm @ 4.5V

МОП-транзистор 20V 6.7/6.1A 22/30mohm @ 4.5V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTSSOP-8
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияSI6562CDQ
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Другие названия товара №SI6562CDQ-GE3
Количество каналов2 Channel
Pd - рассеивание мощности1.1 W, 1.2 W
Время спада10 ns, 25 ns
Время нарастания10 ns, 25 ns
КонфигурацияDual Dual Source
Rds Вкл - сопротивление сток-исток18 mOhms, 24 mOhms
Полярность транзистораN-Channel, P-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Id - непрерывный ток утечки5.7 A
Vgs - напряжение затвор-исток12 V
Типичное время задержки выключения25 nS, 45 nS
Типичное время задержки при включении12 nS, 30 nS
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel, 1 P-Channel