SI7101DN-T1-GE3 МОП-транзистор -30V 7.2mOhm@10V -35A P-Ch G-III
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1383675
МОП-транзистор -30V 7.2mOhm@10V -35A P-Ch G-III
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | PowerPak-1212-8 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | SI71xxDx |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET Power MOSFET |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 52 W |
| Время спада | 8 ns |
| Время нарастания | 10 ns |
| Конфигурация | Dual Dual Drain |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.2 mOhms |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | - 35 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | - 1.2 V to - 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 43 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 44 S |
| Типичное время задержки выключения | 38 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Тип транзистора | 2 P-Channel |