Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SI7309DN-T1-GE3 МОП-транзистор 60V 8.0A 19.8W 115mohm @ 10V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SI7309DN-T1-GE3 МОП-транзистор 60V 8.0A 19.8W 115mohm @ 10V

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1383756

SI7309DN-T1-GE3 МОП-транзистор 60V 8.0A 19.8W 115mohm @ 10V

МОП-транзистор 60V 8.0A 19.8W 115mohm @ 10V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокPowerPAK-1212-8
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 65 C
Другие названия товара №SI7309DN-GE3
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности3.2 W
Время спада35 ns, 33 ns
Время нарастания80 ns, 15 ns
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток115 mOhms
Полярность транзистораP-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток- 60 V
Id - непрерывный ток утечки3.9 A
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Типичное время задержки выключения33 ns, 30 ns
Типичное время задержки при включении25 ns, 10 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel