SI7317DN-T1-GE3 МОП-транзистор -150V 1.2ohm@-10V -2.8A P-Ch T-FET
МОП-транзистор -150V 1.2ohm@-10V -2.8A P-Ch T-FET
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Коммерческое обозначение | TrenchFET |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 19.8 W |
Время спада | 10 ns |
Время нарастания | 11 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.05 Ohms |
Полярность транзистора | P-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 150 V |
Id - непрерывный ток утечки | - 2.8 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | - 4.5 V |
Qg - заряд затвора | 6.5 nC |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3 S |
Типичное время задержки выключения | 11 ns |
Типичное время задержки при включении | 7 ns |
Тип транзистора | 1 P-Channel |