SI7625DN-T1-GE3 МОП-транзистор -30V 7mOhm@10V 35A P-Ch G-III
МОП-транзистор -30V 7mOhm@10V 35A P-Ch G-III
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
---|---|
Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Другие названия товара № | SI7625DN-GE3 |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 3.7 W |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7 mOhms |
Полярность транзистора | P-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 30 V |
Id - непрерывный ток утечки | - 3 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | - 2.5 V |
Qg - заряд затвора | 84.5 nC |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 47 S |
Тип транзистора | 1 P-Channel |