SI7850DP-T1-GE3 МОП-транзистор 60V 10.3A 4.5W 22mohm @ 10V
МОП-транзистор 60V 10.3A 4.5W 22mohm @ 10V
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SO-8 |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Другие названия товара № | SI7850DP-GE3 |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 1.8 W |
Время спада | 10 ns |
Время нарастания | 10 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 22 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Id - непрерывный ток утечки | 6.2 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Типичное время задержки выключения | 25 ns |
Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |