SI7900AEDN-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 8.5A 3.1W 26mohm @ 4.5V
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1383921
МОП-транзистор 20V 8.5A 3.1W 26mohm @ 4.5V
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET/PowerPAK |
| Другие названия товара № | SI7900AEDN-GE3 |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Время спада | 1300 ns |
| Время нарастания | 1300 ns |
| Конфигурация | Dual |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 26 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Типичное время задержки выключения | 8600 ns |
| Типичное время задержки при включении | 850 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |