SI7958DP-T1-GE3 МОП-транзистор Dual N-Ch 40V 16.5mohm @ 10V
МОП-транзистор Dual N-Ch 40V 16.5mohm @ 10V
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SO-8 |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Другие названия товара № | SI7958DP-GE3 |
Количество каналов | 2 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 1.4 W |
Время спада | 17 ns |
Время нарастания | 17 ns |
Конфигурация | Dual |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16.5 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
Id - непрерывный ток утечки | 7.2 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Типичное время задержки выключения | 66 ns |
Типичное время задержки при включении | 17 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 2 N-Channel |