Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SI7958DP-T1-GE3 МОП-транзистор Dual N-Ch 40V 16.5mohm @ 10V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SI7958DP-T1-GE3 МОП-транзистор Dual N-Ch 40V 16.5mohm @ 10V

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1383942

SI7958DP-T1-GE3 МОП-транзистор Dual N-Ch 40V 16.5mohm @ 10V

МОП-транзистор Dual N-Ch 40V 16.5mohm @ 10V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSO-8
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Другие названия товара №SI7958DP-GE3
Количество каналов2 Channel
Pd - рассеивание мощности1.4 W
Время спада17 ns
Время нарастания17 ns
КонфигурацияDual
Rds Вкл - сопротивление сток-исток16.5 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Id - непрерывный ток утечки7.2 A
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Типичное время задержки выключения66 ns
Типичное время задержки при включении17 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора2 N-Channel