Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SI7998DP-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 25/30A 93/53mohm @ 10V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SI7998DP-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 25/30A 93/53mohm @ 10V

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1383951

SI7998DP-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 25/30A 93/53mohm @ 10V

МОП-транзистор 30V 25/30A 93/53mohm @ 10V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSO-8
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Другие названия товара №SI7998DP-GE3
Количество каналов2 Channel
Pd - рассеивание мощности3.6 W, 4 W
Время спада12 ns, 10 ns
Время нарастания15 ns, 17 ns
КонфигурацияDual Dual Drain
Rds Вкл - сопротивление сток-исток9.3 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Id - непрерывный ток утечки15 A
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Типичное время задержки выключения22 ns, 35 ns
Типичное время задержки при включении20 ns, 26 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора2 N-Channel