Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SI8806DB-T2-E1 МОП-транзистор 12V 3.9A 0.9W 4.3mOhms @ 4.5V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SI8806DB-T2-E1 МОП-транзистор 12V 3.9A 0.9W 4.3mOhms @ 4.5V

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1383982

SI8806DB-T2-E1 МОП-транзистор 12V 3.9A 0.9W 4.3mOhms @ 4.5V

МОП-транзистор 12V 3.9A 0.9W 4.3mOhms @ 4.5V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокMicroFoot-4
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияSI880xDB
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Коммерческое обозначениеMICROFOOT TrenchFET
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности900 mW
Время спада12 ns
Время нарастания20 ns
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток35 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток12 V
Id - непрерывный ток утечки700 mA
Vgs - напряжение затвор-исток8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток0.4 V to 1 V
Qg - заряд затвора6.5 nC
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.16 S
Типичное время задержки выключения30 ns
Типичное время задержки при включении7 ns
Тип транзистора1 N-Channel