Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SI8851EDB-T2-E1 МОП-транзистор -20V .0080ohm@-4.5V -16.7A P-Ch купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SI8851EDB-T2-E1 МОП-транзистор -20V .0080ohm@-4.5V -16.7A P-Ch

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1383991

SI8851EDB-T2-E1 МОП-транзистор -20V .0080ohm@-4.5V -16.7A P-Ch

МОП-транзистор -20V .0080ohm@-4.5V -16.7A P-Ch

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокMicroFoot-30
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияSI8851EDB
Минимальная рабочая температура- 55 C
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Pd - рассеивание мощности3.1 W
Время спада35 ns
Время нарастания40 ns
Rds Вкл - сопротивление сток-исток8 mOhms
Полярность транзистораP-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Id - непрерывный ток утечки16.7 A
Vgs - напряжение затвор-исток8 V
Qg - заряд затвора70 nC
Типичное время задержки выключения115 ns
Типичное время задержки при включении35 ns