SI9926CDY-T1-GE3 МОП-транзистор 20V 8.0A 3.1W 18mohm @ 4.5V
МОП-транзистор 20V 8.0A 3.1W 18mohm @ 4.5V
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOIC-Narrow-8 |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Другие названия товара № | SI9926CDY-GE3 |
Количество каналов | 2 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 2 W |
Время спада | 12 ns, 10 ns |
Время нарастания | 10 ns, 12 ns |
Конфигурация | Dual |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 18 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
Типичное время задержки выключения | 35 ns, 25 ns |
Типичное время задержки при включении | 15 ns, 10 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 2 N-Channel |