Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SIA416DJ-T1-GE3 МОП-транзистор 100V 83mOhm@10V 11.3A N-Ch MV T-FET купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SIA416DJ-T1-GE3 МОП-транзистор 100V 83mOhm@10V 11.3A N-Ch MV T-FET

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1384015

SIA416DJ-T1-GE3 МОП-транзистор 100V 83mOhm@10V 11.3A N-Ch MV T-FET

МОП-транзистор 100V 83mOhm@10V 11.3A N-Ch MV T-FET

Характеристики

Упаковка / блокPowerPAK-SC-70-6
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияSIA4xxDJ
Размер фабричной упаковки3000
Коммерческое обозначениеThunderFET TrenchFET
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности19 W
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток83 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Id - непрерывный ток утечки11.3 A
Vgs - напряжение затвор-исток3 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Qg - заряд затвора3.5 nC
Тип транзистора1 N-Channel