Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SIA456DJ-T1-GE3 МОП-транзистор 200V 2.6A 19W 1.38ohm @ 4.5V купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SIA456DJ-T1-GE3 МОП-транзистор 200V 2.6A 19W 1.38ohm @ 4.5V

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1384042

SIA456DJ-T1-GE3 МОП-транзистор 200V 2.6A 19W 1.38ohm @ 4.5V

МОП-транзистор 200V 2.6A 19W 1.38ohm @ 4.5V

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокPowerPAK-SC-70-6
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияSIA4xxDJ
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Другие названия товара №SIA456DJ-GE3
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности3.5 W
Время спада20 ns, 12 ns
Время нарастания25 ns, 20 ns
КонфигурацияSingle Quad Drain
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.38 Ohms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
Id - непрерывный ток утечки1.1 A
Vgs - напряжение затвор-исток16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.4 V
Qg - заряд затвора9.5 nC
Типичное время задержки выключения30 ns, 16 ns
Типичное время задержки при включении10 ns, 5 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel