Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SIA462DJ-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 18mOhm@10V 12A N-Ch купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SIA462DJ-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 18mOhm@10V 12A N-Ch

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1384045

SIA462DJ-T1-GE3 МОП-транзистор 30V 18mOhm@10V 12A N-Ch

МОП-транзистор 30V 18mOhm@10V 12A N-Ch

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокPowerPAK-SC-70-6
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияSIA4xxDJ
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Коммерческое обозначениеTrenchFET Power MOSFET
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности19 W
Время спада10 ns
Время нарастания10 ns
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток18 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Id - непрерывный ток утечки12 A
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V to 2.4 V
Qg - заряд затвора5 nC
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.35 S
Типичное время задержки выключения15 ns
Типичное время задержки при включении5 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel