Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SIA817EDJ-T1-GE3 МОП-транзистор -30V .065Ohm@10V 4.5A P-Ch G-III купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SIA817EDJ-T1-GE3 МОП-транзистор -30V .065Ohm@10V 4.5A P-Ch G-III

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1384059

SIA817EDJ-T1-GE3 МОП-транзистор -30V .065Ohm@10V 4.5A P-Ch G-III

МОП-транзистор -30V .065Ohm@10V 4.5A P-Ch G-III

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокSC-70-6
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности6.5 W
Время спада10 ns
Время нарастания20 ns
КонфигурацияSingle with Schottky Diode
Rds Вкл - сопротивление сток-исток125 mOhms
Полярность транзистораP-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток- 30 V
Id - непрерывный ток утечки- 4.5 A
Vgs - напряжение затвор-исток12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток- 0.6 V to - 1.3 V
Qg - заряд затвора6.6 nC
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.9 S
Типичное время задержки выключения23 ns
Типичное время задержки при включении20 ns
Тип транзистора1 P-Channel