Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SIB417AEDK-T1-GE3 МОП-транзистор 1.2V P-Channel купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SIB417AEDK-T1-GE3 МОП-транзистор 1.2V P-Channel

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1384080

SIB417AEDK-T1-GE3 МОП-транзистор 1.2V P-Channel

МОП-транзистор 1.2V P-Channel

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокPowerPak-6
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияSiB417AEDK
Минимальная рабочая температура- 55 C
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности13 W
Время спада29 ns
Время нарастания27 ns
КонфигурацияSingle Quad Drain Dual Source
Rds Вкл - сопротивление сток-исток32 mOhms
Полярность транзистораP-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток8 V
Id - непрерывный ток утечки9 A
Vgs - напряжение затвор-исток5 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Qg - заряд затвора18.5 nC
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.18 S
Типичное время задержки выключения32 ns
Типичное время задержки при включении19 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel