Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SIHB30N60E-GE3 МОП-транзистор 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SIHB30N60E-GE3 МОП-транзистор 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1384150

SIHB30N60E-GE3 МОП-транзистор 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS

МОП-транзистор 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокD2PAK-3
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаTube
СерияE
Размер фабричной упаковки1000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Коммерческое обозначениеE Series
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности250 W
Время спада36 ns
Время нарастания32 ns
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток125 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Id - непрерывный ток утечки29 A
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Qg - заряд затвора85 nC
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.5.4 S
Типичное время задержки выключения63 ns
Типичное время задержки при включении19 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel