SIHB33N60EF-GE3 МОП-транзистор N-Channel 600V
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1384153
МОП-транзистор N-Channel 600V
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Коммерческое обозначение | EF Series |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 278 W |
| Время спада | 48 ns |
| Время нарастания | 43 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 98 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 33 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 155 nC |
| Типичное время задержки выключения | 161 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |