Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SIHF12N65E-GE3 МОП-транзистор 650V 392Ohm@10V 12A N-Ch E-SRS купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SIHF12N65E-GE3 МОП-транзистор 650V 392Ohm@10V 12A N-Ch E-SRS

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1384174

SIHF12N65E-GE3 МОП-транзистор 650V 392Ohm@10V 12A N-Ch E-SRS

МОП-транзистор 650V 392Ohm@10V 12A N-Ch E-SRS

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTO-220-3
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаThrough Hole
УпаковкаBulk
СерияE
Минимальная рабочая температура- 55 C
Коммерческое обозначениеE Series
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности156 W
Время спада18 ns
Время нарастания19 ns
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток392 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток700 V
Id - непрерывный ток утечки12 A
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V to 4 V
Qg - заряд затвора70 nC
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.3.5 S
Типичное время задержки выключения35 ns
Типичное время задержки при включении16 ns
Тип транзистора1 N-Channel