SIHF6N65E-GE3 МОП-транзистор 650V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
МОП-транзистор 650V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Bulk |
Серия | E |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Коммерческое обозначение | E Series |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 31 W |
Время спада | 20 ns |
Время нарастания | 12 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 600 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Qg - заряд затвора | 24 nC |
Типичное время задержки выключения | 30 ns |
Типичное время задержки при включении | 14 ns |
Тип транзистора | 1 N-Channel |