Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
SIHG32N50D-GE3 МОП-транзистор 500V 150mOhm@10V 30A N-Ch D-SRS купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

SIHG32N50D-GE3 МОП-транзистор 500V 150mOhm@10V 30A N-Ch D-SRS

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1384220

SIHG32N50D-GE3 МОП-транзистор 500V 150mOhm@10V 30A N-Ch D-SRS

МОП-транзистор 500V 150mOhm@10V 30A N-Ch D-SRS

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTO-247-3
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
СерияE
Размер фабричной упаковки500
Минимальная рабочая температура- 55 C
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности390 W
Время спада55 ns
Время нарастания75 ns
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток150 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Id - непрерывный ток утечки30 A
Vgs - напряжение затвор-исток+/- 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
Qg - заряд затвора96 nC
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.11 S
Типичное время задержки выключения58 ns
Типичное время задержки при включении27 ns
Тип транзистора1 N-Channel